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Aktuell - 21.05.2012
Neuer Dual-MOSFET vereinfacht das Design von Synchron-Abwärtsreglern
Ultraschnell schaltende, robuste 600V Hochfrequenz-IGBTs für den Einsatz in Stromversorgungen im Automobil
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Industrie / Automatisierung
Letzte Aktualisierung: 17.05.2012
Microsemi
Neue Generation supereffizienter NPT-IGBTs
Microsemi Corporation stellt das erste Serienmitglied einer neuen Generation von „Non Punch Through“ (NPT) IGBTs mit 1.200V vor. Die neue IGBT-Familie nutzt das Potenzial von Microsemis führender Power MOS 8™ Technologie und bietet gegenüber Wettbewerbslösungen um beachtliche 20 Prozent niedrigere Schalt- und Durchlassverluste. Entwickelt wurden die neuen IGBTs für Applikationen wie Lötstationen, Solar-Wechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen sowie Schaltnetzteile.
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Toshiba Electronics Europe
Neue Prozesstechnik für 600-V-MOSFETs ermöglicht sehr niedrigen RDS(ON) und verringert Schaltverluste
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